立深鑫 电子LDO没有输出电容对瞬态响应会发生什么？

1. 立深鑫 电子LDO没有输出电容对瞬态响应会发生什么？

LDO本身并不会产生噪声，除非其输入端或输出端受到外部谐波噪声干扰，所以LDO的输入输出电容是绝对必要的，而输出电容必须选择在安全的ESR范围里；若无足够大电容的ESR，LDO将随温度上升而产生振荡；只要能符合ESR的需求，无论是陶瓷电容、铝电解电容或钽电容均可适用，但在应用上较建议使用电解电容或钽电容，因为陶瓷电容的ESR值较小，且在温度变化时其特性的变化量也相对提高。

2. 立深鑫 电子LDO输出电容选择和电流之间有关系吗?

电阻R电容C串联电路电容充电间 计算公式: 充电间 T= R*C*ln((E-V)/E) 式: R--欧姆C--拉； E--RC串联电路外加电压 伏特 V--电容要达电压 ln自数 电容达充满充电间与电容关电容越充电间越比； 与电阻关电阻越充电电流越所充电间延比；

3. 立深鑫 电子LDO的输入电压必须大于输出吗?

LDO是线性降压，输入必须大于输出，对于具体的芯片，如78xx系列，输入输出压差需要达到3v以上输出才能稳定。

4. 立深鑫 电子LDO（低压降）稳压器有什么作用？

LDO 是一种线性稳压器。线性稳压器使用在其线性区域内运行的晶体管或 FET，
从输入电压中减去超额的电压，产生经过调节的输出电压。通俗的说就是电源管理IC，通常用于12V转5V,3.3V,1.8V用，我们做液晶板卡，上面用了很多。

5. 立深鑫 电子LDO的psrr和noise如何计算？

传统的线性稳压器,如78xx系列的芯片都要求输入电压要比输出电压高出2v~3V以上,否则就不能正常工作.但是在一些情况下,这样的条件显然是太苛刻了,如5v转3.3v,输入与输出的压差只有1.7v,显然是不满足条件的.针对这种情况,才有了LDO类的电源转换芯片. LDO 是一种线性稳压器.线性稳压器使用在其线性区域内运行的晶体管或 FET,从应用的输入电压中减去超额的电压,产生经过调节的输出电压.所谓压降电压,是指稳压器将输出电压维持在其额定值上下 100mV 之内所需的输入电压与输出电压差额的最小值.正输出电压的LDO（低压降）稳压器通常使用功率晶体管（也称为传递设备）作为 PNP.这种晶体管允许饱和,所以稳压器可以有一个非常低的压降电压,通常为 200mV 左右；与之相比,使用 NPN 复合电源晶体管的传统线性稳压器的压降为 2V 左右.负输出 LDO 使用 NPN 作为它的传递设备,其运行模式与正输出 LDO 的 PNP设备类似.更新的发展使用 CMOS 功率晶体管,它能够提供最低的压降电压.使用 CMOS,通过稳压器的唯一电压压降是电源设备负载电流的 ON 电阻造成的.如果负载较小,这种方式产生的压降只有几十毫伏. DCDC的意思是直流变（到）直流（不同直流电源值的转换）,只要符合这个定义都可以叫DCDC转换器,包括LDO.但是一般的说法是把直流变（到）直流由开关方式实现的器件叫DCDC. LDO是低压降的意思,这有一段说明：低压降（LDO）线性稳压器的成本低,噪音低,静态电流小,这些是它的突出优点.它需要的外接元件也很少,通常只需要一两个旁路电容.新的LDO线性稳压器可达到以下指标：输出噪声30μV,PSRR为60dB,静态电流6μA,电压降只有100mV.LDO线性稳压器的性能之所以能够达到这个水平,主要原因在于其中的调整管是用P沟道MOSFET,而普通的线性稳压器是使用PNP晶体管.P沟道MOSFET是电压驱动的,不需要电流,所以大大降低了器件本身消耗的电流；另一方面,采用PNP晶体管的电路中,为了防止PNP晶体管进入饱和状态而降低输出能力,输入和输出之间的电压降不可以太低；而P沟道MOSFET上的电压降大致等于输出电流与导通电阻的乘积.由于MOSFET的导通电阻很小,因而它上面的电压降非常低. 如果输入电压和输出电压很接近,最好是选用LDO稳压器,可达到很高的效率.所以,在把锂离子电池电压转换为3V输出电压的应用中大多选用LDO稳压器.虽说电池的能量最後有百分之十是没有使用,LDO稳压器仍然能够保证电池的工作时间较长,同时噪音较低.如果输入电压和输出电压不是很接近,就要考虑用开关型的DCDC了,应为从上面的原理可以知道,LDO的输入电流基本上是等于输出电流的,如果压降太大,耗在LDO上能量太大,效率不高. DC-DC转换器包括升压、降压、升/降压和反相等电路.DC-DC转换器的优点是效率高、可以输出大电流、静态电流小.随著集成度的提高,许多新型DC-DC转换器仅需要几只外接电感器和滤波电容器.但是,这类电源控制器的输出脉动和开关噪音较大、成本相对较高. 近几年来,随著半导体技术的发展,表面贴装的电感器、电容器、以及高集成度的电源控制芯片的成本不断降低,体积越来越小.由于出现了导通电阻很小的MOSFET可以输出很大功率,因而不需要外部的大功率FET.例如对于3V的输入电压,利用芯片上的NFET可以得到5V/2A的输出.其次,对于中小功率的应用,可以使用成本低小型封装.另外,如果开关频率提高到1MHz,还能够降低成本、可以使用尺寸较小的电感器和电容器.有些新器件还增加许多新功能,如软启动、限流、PFM或者PWM方式选择等. 总的来说,升压是一定要选DCDC的,降压,是选择DCDC还是LDO,要在成本,效率,噪声和性能上比较.

6. 立深鑫 电子LDO出来的是模拟电压还是数字电压?

所不同的只是数字表采用集成电路组成，数字表的精度更高.，显示更直观。指针表（你指的模拟表吧？）是有分离原件组成，相对精度低于数字表，原理是相同的。如果确如你所说模拟表，是有软件与集成电路组成的，作为设备的检测使用，也是高精度的，不同之处模拟表必须要采用取样电路作为检测头，检测电压经放大电路变换后的信号去控制模拟量的数值。

7. 立深鑫 电子LDO的负载电流的突变斜率一般如何确定？

我认为对于数字电路，保险的方法都是加片外电容，因为你不知道数字部分电流的变化规律，如果LDO环路不能及时反应，输出电压就掉下去了。如果加片外电容，管它变化多快呢，统统由电容搞定，LDO只负责输出一个直流就完了。

8. 解释为何立深鑫 电子mos管具有电压放大作用的基本原理？

MOS管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。定义双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。另一种晶体管，叫做场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道，详情参考右侧图片（N沟道耗尽型MOS管）。而P沟道常见的为低压Mos管。场效应管的名字也来源于它的输入端（称为gate）通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或,金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。无论N型或者P型MOS管，其工作原理本质是一样的。MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，MOS管的开关速度应该比三极管快。