国内四大光刻胶生产商是哪里？

1. 国内四大光刻胶生产商是哪里？

一、晶瑞电材：



公司是一家专业从事微电子化学品的产品研发、生产和销售的高新技术企业，主导产品包括超净高纯试剂、光刻胶、功能性材料、锂电池材料和基础化工材料等。


公司主要的优质客户资源包括有研半导体、晶澳科技、三安光电、宸鸿光电、信利、华润上华等。半导体客户是对超净高纯试剂要求最高的领域，公司拳头产品双氧水已进入国内知名半导体厂商的供应链考察体系，其中华虹宏力已进入上线评估，武汉新芯已进入验厂审核，中芯国际正在进行技术确认。


二、芯源微：



产品包括光刻工序涂胶显影设备（涂胶／显影机、喷胶机）和单片式湿法设备（清洗机、去胶机、湿法刻蚀机）。


下游客户覆盖国内主要LED芯片制造企业和集成电路制造后道先进封装企业，与包括台积电、长电科技、华天科技、通富微电、晶方科技、华灿光电等在内的多家优质客户保持着长期稳定的合作关系。


三、华懋科技：



公司通过投资的方式参股徐州博康，该公司是国内主要的产业化生产中高端光刻胶单体的企业，是国际上先进的EUV光刻胶单体发明者、生产者，单体产品覆盖全球90%以上客户群，下游客户包括Intel、JSR等。


公司的主要生产设备均来自日本、德国、瑞士、法国等先进机械制造国家，在OPW一次成型气囊产品和切割生产工序实现了智能化，在国内同行业处于先进水平，为提高生产效率、保持产品的质量稳定性提供了保障。


四、彤程新材：



公司全资子公司彤程电子受让科华微电子33.70%的股权，北京科华微电子成立于2004年8月，是国内唯一拥有荷兰ASML曝光机的光刻胶公司，是集光刻胶研发、生产、检测、销售于一体的中外合资企业，也是国内唯一一家拥有高档光刻胶自主研发及生产实力的国家级高新技术企业。


公司成功研发出使用多聚甲醛生产功能树脂技术，替代了传统的液醛工艺，使得含酚、含醛工艺废水减少70%，解决了橡胶用酚醛树脂生产过程中产生难以处理的含酚、含醛污水的问题。

2. 做光刻胶的上市公司是哪一家?

3. 光刻胶龙头企业

一、晶瑞股份
核心逻辑：进口替代助力业绩增长，国产光刻胶核心标的。
晶瑞股份是国内技术领先的微电子化学品龙头，产品包括超净高纯试剂、光刻胶、功能性材料、锂电池粘结剂等。

二、上海新阳
核心逻辑：半导体业务驱动21Q1经营业绩高增长，购买光刻机布局高端光刻胶项目。
上海新阳为拓展业务范围及产品应用领域，投资设立控股子公司上海芯刻微材料技术有限责任公司进行193nm（ArF）干法光刻胶研发及产业化项目。
三、南大光电
核心逻辑：ArF光刻胶认证通过，国产材料持续推进。
南大光电主要从事先进前驱体材料、电子特气、光刻胶及配套材料三类半导体材料产品生产、研发和销售。公司设立光刻胶事业部，并成立了全资子公司“宁波南大光电材料有限公司”，全力推进“ArF光刻胶开发和产业化项目”的落地实施
四、扬帆新材
公司是全球光引发剂重要供应商，公司主要的光引发剂品种众多，其中部分产品可以用于光刻胶生产领域。

4. 中国光刻胶上市十大排名

一、晶瑞股份
核心逻辑：进口替代助力业绩增长，国产光刻胶核心标的。
晶瑞股份是国内技术领先的微电子化学品龙头，产品包括超净高纯试剂、光刻胶、功能性材料、锂电池粘结剂等。

二、上海新阳
核心逻辑：半导体业务驱动21Q1经营业绩高增长，购买光刻机布局高端光刻胶项目。
上海新阳为拓展业务范围及产品应用领域，投资设立控股子公司上海芯刻微材料技术有限责任公司进行193nm（ArF）干法光刻胶研发及产业化项目。
三、南大光电
核心逻辑：ArF光刻胶认证通过，国产材料持续推进。
南大光电主要从事先进前驱体材料、电子特气、光刻胶及配套材料三类半导体材料产品生产、研发和销售。公司设立光刻胶事业部，并成立了全资子公司“宁波南大光电材料有限公司”，全力推进“ArF光刻胶开发和产业化项目”的落地实施
四、扬帆新材
公司是全球光引发剂重要供应商，公司主要的光引发剂品种众多，其中部分产品可以用于光刻胶生产领域。

5. 国内四大光刻胶龙头企业

国内四大光刻胶龙头企业有南大光电、容大感光、晶瑞电材、彤程新材。
1、南大光电

在光刻胶方面，公司建立了专业的研发团队，已搭建大规模的研发中心与百升级光刻胶中试生产线，产品研发进展和成果均获得业界专家的认可，其次，公司具有研制功能单体和功能树脂等光刻胶材料的能力，已研发的多款先进光刻胶产品在客户端的评估中获得好评。
2、容大感光

公司自成立以来，一直专注于光刻胶和PCB感光油墨等的研发生产，公司光刻胶产品分别为紫外线正胶和紫外线负胶，主要应用的领域是平板显示、发光二极管、集成电路等。
3、晶瑞电材

公司是我国最早规模量产光刻胶的为数不多的几家企业之一，历经多年的研发与积累，公司的光刻胶产品已达到国内外中高级水准，公司光刻胶产品序列齐全，产业化规模，盈利能力均处于行业领先水平。
4、彤程新材

子公司成立于2004年，是国内唯一一家拥有荷兰ASML曝光机的光刻胶企业，同时也是具备高档光刻胶自主研发和生产实力的企业。
什么是光刻胶
光刻胶是利用光化学反应经光刻工艺将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工基片上的图形转移介质，由成膜剂、光敏剂、溶剂和添加剂等主要化学品成分和其他助剂组成，被广泛应用于光电信息产业的微细图形线路的加工制作，是微细加工技术的关键性材料。

6. 中国光刻胶是什么水平？

7. 什么是光刻胶以及光刻胶的种类

光刻胶是一种有机化合物，它受紫外光曝光后，在显影液中的溶解度会发生变化。一般光刻胶以液态涂覆在硅片表面上，曝光后烘烤成固态。 1、光刻胶的作用： a、将掩膜板上的图形转移到硅片表面的氧化层中； b、在后续工序中，保护下面的材料（刻蚀或离子注入）。2、光刻胶的物理特性参数： a、分辨率（resolution）。区别硅片表面相邻图形特征的能力。一般用关键尺寸（CD，Critical Dimension）来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小，光刻胶的分辨率越好。 b、对比度（Contrast）。指光刻胶从曝光区到非曝光区过渡的陡度。对比度越好，形成图形的侧壁越陡峭，分辨率越好。 c、敏感度（Sensitivity）。光刻胶上产生一个良好的图形所需一定波长光的最小能量值（或最小曝光量）。单位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。光刻胶的敏感性对于波长更短的深紫外光（DUV）、极深紫外光（EUV）等尤为重要。 d、粘滞性/黏度（Viscosity）。衡量光刻胶流动特性的参数。粘滞性随着光刻胶中的溶剂的减少而增加；高的粘滞性会产生厚的光刻胶；越小的粘滞性，就有越均匀的光刻胶厚度。光刻胶的比重（SG，Specific Gravity）是衡量光刻胶的密度的指标。它与光刻胶中的固体含量有关。较大的比重意味着光刻胶中含有更多的固体，粘滞性更高、流动性更差。粘度的单位：泊（poise），光刻胶一般用厘泊（cps，厘泊为1%泊）来度量。百分泊即厘泊为绝对粘滞率；运动粘滞率定义为：运动粘滞率=绝对粘滞率/比重。单位：百分斯托克斯（cs）＝cps/SG。 e、粘附性（Adherence）。表征光刻胶粘着于衬底的强度。光刻胶的粘附性不足会导致硅片表面的图形变形。光刻胶的粘附性必须经受住后续工艺（刻蚀、离子注入等）。 f、抗蚀性（Anti-etching）。光刻胶必须保持它的粘附性，在后续的刻蚀工序中保护衬底表面。耐热稳定性、抗刻蚀能力和抗离子轰击能力。 g、表面张力（Surface Tension）。液体中将表面分子拉向液体主体内的分子间吸引力。光刻胶应该具有比较小的表面张力，使光刻胶具有良好的流动性和覆盖。 h、存储和传送（Storage and Transmission）。能量（光和热）可以激活光刻胶。应该存储在密闭、低温、不透光的盒中。同时必须规定光刻胶的闲置期限和存贮温度环境。一旦超过存储时间或较高的温度范围，负胶会发生交联，正胶会发生感光延迟。3、光刻胶的分类 a、根据光刻胶按照如何响应紫外光的特性可以分为两类：负性光刻胶和正性光刻胶。 负性光刻胶（Negative Photo Resist）。最早使用，一直到20世纪70年代。曝光区域发生交联，难溶于显影液。特性：良好的粘附能力、良好的阻挡作用、感光速度快；显影时发生变形和膨胀。所以只能用于2μm的分辨率。 正性光刻胶（Positive Photo Resist）。20世纪70年代，有负性转用正性。正性光刻胶的曝光区域更加容易溶解于显影液。特性：分辨率高、台阶覆盖好、对比度好；粘附性差、抗刻蚀能力差、高成本。 b、根据光刻胶能形成图形的最小光刻尺寸来分：传统光刻胶和化学放大光刻胶。 传统光刻胶。适用于I线（365nm）、H线（405nm）和G线（436nm），关键尺寸在0.35μm及其以上。 化学放大光刻胶（CAR，Chemical Amplified Resist）。适用于深紫外线（DUV）波长的光刻胶。KrF（248nm）和ArF（193nm）。4、光刻胶的具体性质 a、传统光刻胶：正胶和负胶。光刻胶的组成：树脂（resin/polymer），光刻胶中不同材料的粘合剂，给与光刻胶的机械与化学性质（如粘附性、胶膜厚度、热稳定性等）；感光剂，感光剂对光能发生光化学反应；溶剂（Solvent），保持光刻胶的液体状态，使之具有良好的流动性；添加剂（Additive），用以改变光刻胶的某些特性，如改善光刻胶发生反射而添加染色剂等。 负性光刻胶。树脂是聚异戊二烯，一种天然的橡胶；溶剂是二甲苯；感光剂是一种经过曝光后释放出氮气的光敏剂，产生的自由基在橡胶分子间形成交联。从而变得不溶于显影液。负性光刻胶在曝光区由溶剂引起泡涨；曝光时光刻胶容易与氮气反应而抑制交联。 正性光刻胶。树脂是一种叫做线性酚醛树脂的酚醛甲醛，提供光刻胶的粘附性、化学抗蚀性，当没有溶解抑制剂存在时，线性酚醛树脂会溶解在显影液中；感光剂是光敏化合物（PAC，Photo Active Compound），最常见的是重氮萘醌（DNQ），在曝光前，DNQ是一种强烈的溶解抑制剂，降低树脂的溶解速度。在紫外曝光后，DNQ在光刻胶中化学分解，成为溶解度增强剂，大幅提高显影液中的溶解度因子至100或者更高。这种曝光反应会在DNQ中产生羧酸，它在显影液中溶解度很高。正性光刻胶具有很好的对比度，所以生成的图形具有良好的分辨率。 b、化学放大光刻胶（CAR，Chemical Amplified Resist）。树脂是具有化学基团保护（t-BOC）的聚乙烯（PHS）。有保护团的树脂不溶于水；感光剂是光酸产生剂（PAG，Photo Acid Generator），光刻胶曝光后，在曝光区的PAG发生光化学反应会产生一种酸。该酸在曝光后热烘（PEB，Post Exposure Baking）时，作为化学催化剂将树脂上的保护基团移走，从而使曝光区域的光刻胶由原来不溶于水转变为高度溶于以水为主要成分的显影液。化学放大光刻胶曝光速度非常

8. 什么是光刻胶

光刻胶是微电子技术中微细图形加工的关键材料之一，特别是近年来大规模和超大规模集成电路的发展，更是大大促进了光刻胶的研究开发和应用。印刷工业是光刻胶应用的另一重要领域。1954 年由明斯克等人首先研究成功的聚乙烯醇肉桂酸脂就是用于印刷工业的，以后才用于电子工业。[1]光刻胶是一种有机化合物，它被紫外光曝光后，在显影溶液中的溶解度会发生变化。硅片制造中所用的光刻胶以液态涂在硅片表面，而后被干燥成胶膜。

目的
硅片制造中，光刻胶的目的主要有两个：光刻胶原理，小孔成像！技术源头，古老的相机！

（1）将掩模版图形转移到硅片表面顶层的光刻胶中；

（2）在后续工艺中，保护下面的材料（例如刻蚀或离子注入阻挡层）。

分类
光刻胶的技术复杂，品种较多。根据其化学反应机理和显影原理，可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶；反之，对某些溶剂是不可溶的，经光照后变成可溶物质的即为正性胶。

利用这种性能，将光刻胶作涂层，就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。基于感光树脂的化学结构，光刻胶可以分为三种类型。

光聚合型
采用烯类单体，在光作用下生成自由基，自由基再进一步引发单体聚合，最后生成聚合物，具有形成正像的特点。
光分解型
采用含有叠氮醌类化合物的材料，经光照后,会发生光分解反应,由油溶性变为水溶性，可以制成正性胶。

光交联型
采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料,在光的作用下,其分子中的双键被打开，并使链与链之间发生交联，形成一种不溶性的网状结构，而起到抗蚀作用，这是一种典型的负性光刻胶。柯达公司的产品KPR胶即属此类。

含硅光刻胶
为了避免光刻胶线条的倒塌，线宽越小的光刻工艺，就要求光刻胶的厚度越薄。

在20nm技术节点，光刻胶的厚度已经减少到了100nm左右。但是薄光刻胶不能有效的阻挡等离子体对衬底的刻蚀[2]。为此，研发了含Si的光刻胶，这种含Si光刻胶被旋涂在一层较厚的聚合物材料（常被称作Underlayer），其对光是不敏感的。曝光显影后，利用氧等离子体刻蚀，把光刻胶上的图形转移到Underlayer上，在氧等离子体刻蚀条件下，含Si的光刻胶刻蚀速率远小于Underlayer，具有较高的刻蚀选择性。

含有Si的光刻胶是使用分子结构中有Si的有机材料合成的，例如硅氧烷，硅烷，含Si的丙烯酸树脂等。